該X2級MOSFET具有低導通電阻、 低閘極電荷和優異的dv/dt 效能。這些MOSFET採用電荷補償原理和專利製程技術開發而成。該X2級MOSFET配備快速軟恢復體二極體降低開關損耗和電磁干擾 (EMI)。
特點
- 超低導通電阻RDS(ON),超低閘極電荷Qg
- 快速體二極體
- 耐Dv/dt變化
- 高效率
- 高功率密度
- 雪崩測試
- 低封裝電感
- 國際標準封裝
- 易於安裝
- 節省空間
應用
- 工業開關模式和諧振模式電源
- 電動車輛電池充電器
- AC和DC馬達驅動器
- DC/DC 轉換器
- 可再生能源逆變器
- 功率因數校正 (PFC) 電路
- 機器人與伺服控制
發佈日期: 2015-11-04
| 更新日期: 2024-11-21

