|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
- SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$86.56
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT018W65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55 A
|
27 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
398 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
- SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$152.48
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT019W120G3-4AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
|
HK$152.48
|
|
|
HK$122.07
|
|
|
HK$105.54
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
90 A
|
26 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
4.2 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
486 W
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
- SCT020H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$151.49
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT020H120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
|
HK$151.49
|
|
|
HK$121.33
|
|
|
HK$104.89
|
|
|
HK$104.89
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
- SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics
-
600:
HK$96.42
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT025W120G3-4
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
37 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
388 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
- SCT027HU65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$111.05
-
無庫存前置作業時間 18 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT027HU65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
|
HK$111.05
|
|
|
HK$82.86
|
|
|
HK$71.68
|
|
|
HK$67.90
|
|
|
HK$57.62
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
- SCT027TO65G3
- STMicroelectronics
-
1:
HK$102.75
-
無庫存前置作業時間 19 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT027TO65G3
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
|
|
無庫存前置作業時間 19 週
|
|
|
HK$102.75
|
|
|
HK$76.77
|
|
|
HK$66.34
|
|
|
HK$62.80
|
|
|
HK$53.35
|
|
|
HK$53.35
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
- SCT040W120G3
- STMicroelectronics
-
600:
HK$106.28
-
暫無庫存
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040W120G3
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
|
|
暫無庫存
|
|
|
HK$106.28
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
40 A
|
54 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$41.59
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070H120G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
223 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
HK$89.84
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3-4
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
|
HK$89.84
|
|
|
HK$53.68
|
|
|
HK$45.70
|
|
|
HK$42.58
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
236 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$99.79
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
|
HK$99.79
|
|
|
HK$81.21
|
|
|
HK$67.73
|
|
|
HK$60.33
|
|
|
HK$51.21
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
HK$619.95
-
無庫存前置作業時間 19 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCTHC250N120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
無庫存前置作業時間 19 週
|
|
|
HK$619.95
|
|
|
HK$515.72
|
|
|
HK$461.14
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
STPAK-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 nC
|
- 10 V, + 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
-
448:
HK$461.14
-
無庫存前置作業時間 19 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCTHCT250N12G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
|
|
無庫存前置作業時間 19 週
|
|
|
HK$461.14
|
|
|
檢視
|
|
|
報價
|
|
最少： 448
倍數： 448
|
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
- SCTWA40N120G2V
- STMicroelectronics
-
1:
HK$148.29
-
無庫存前置作業時間 32 週
-
NRND
|
Mouser 元件編號
511-SCTWA40N120G2V
NRND
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
|
|
無庫存前置作業時間 32 週
|
|
|
HK$148.29
|
|
|
HK$112.94
|
|
|
HK$94.94
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
36 A
|
100 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
2.45 V
|
61 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
278 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$152.89
-
暫無庫存
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT012HU90G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
|
|
暫無庫存
|
|
|
HK$152.89
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$99.87
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT019H120G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$42.58
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040H65G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
HK$54.66
-
無庫存前置作業時間 17 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT040W65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 17 週
|
|
|
HK$54.66
|
|
|
HK$46.36
|
|
最少： 600
倍數： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$39.21
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT055H65G3-7
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
HK$42.66
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SCT055H65G3AG
新產品
|
STMicroelectronics
|
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 1,000
倍數： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
香港