SCT018W65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3AG
SCT018W65G3AG

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
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新產品:
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規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

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17 週 工廠預計生產時間。
最少： 600   多個： 600
單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$86.56 HK$51,936.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
76 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 17 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 8 ns
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 36 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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