onsemi PowerTrench技術
安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。
方塊圖
特點
- 降低較高頻率的切換損耗，能在高頻率切換期間將變為熱能損失的能源耗損降到最低
- 提升的散熱效能可減少在特定功率等級的發熱
- 較低RDS(on)可改善傳導耗損，有助於降低導通時的電阻，使傳導能源耗損降低
- 封裝外型尺寸更小巧、功率密度更高，符合輕巧型設計的電子產品趨勢
- 獲AEC認證的40V至80V T10 MOSFET，符合嚴格的汽車標準
- 與前一代相比，Rsp降低30%至40%，藉由減少特定電阻以提升功率密度
- Qg、Qsw與Qoss降低2倍，不僅減少切換耗損，更提升效率
- 軟恢復二極體和較低的Qrr能降低振鈴、過衝和EMI/雜訊
- UIS能力提升10%，可在特定情況下實現更高的電流
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