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onsemi 40V功率MOSFET

安森美 (onsemi)  40V功率MOSFET 採用標準閘級技術，並擁有一流的導通電阻。安森美 (onsemi) MOSFET適用於發動機驅動器應用。這些器件可有效將導通和驅動損耗降至最低，具備較低的導通電阻和減少的閘極電荷。此外，MOSFET對於晶體二極體的反向恢復具有出色的軟度控制，可有效減輕電壓尖峰應力，無需在應用中額外設置阻尼電路。

特點

  • 低RDS(on)，以將傳導損耗降至最低
  • 低Qrr 和軟恢復，以將ERR損耗和電壓尖峰降至最低
  • 低Qg 和電容，以將驅動和開關損耗降至最低
  • 無鉛、無鹵素/不含溴化阻燃劑，符合RoHS標準

應用

  • 高開關頻率DC-DC轉換
  • 同步整流

方塊圖

應用電路圖 - onsemi 40V功率MOSFET

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零件編號 規格書 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G 規格書 40 V 509 A 420 uOhms
NTMFS0D5N04XLT1G NTMFS0D5N04XLT1G 規格書 40 V 455 A 490 uOhms
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G 規格書 40 V 380 A 570 uOhms
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G 規格書 40 V 278 A 900 uOhms
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G 規格書 40 V 233 A 1.05 mOhms
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G 規格書 40 V 195 A 1.3 mOhms
NTMFS2D3N04XMT1G NTMFS2D3N04XMT1G 規格書 40 V 111 A 2.35 mOhms
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G 規格書 80 V 181 A 2.1 mOhms
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G 規格書 80 V 135 A 3 mOhms
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G 規格書 40 V 414 A 520 uOhms
發佈日期: 2024-01-16 | 更新日期: 2025-09-30