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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 33.13 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

863-NTMFWS1D5N08XT1G

製造商編號：

NTMFWS1D5N08XT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

規格書:

NTMFWS1D5N08XT1G 規格書

ECAD模型:

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在途量:: 4,380

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1 上限： 270

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$33.13	HK$33.13
	HK$21.70	HK$217.00
	HK$15.62	HK$1,562.00
完整捲（訂購多個1500）
	HK$15.62	HK$23,430.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SO8FL-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	253 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.43 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.6 V
Qg - 閘極充電:	83 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	194 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	9 ns
互導 - 最小值:	176 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	NTMFWS1D5N08X
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	43 ns
標準開啟延遲時間:	24 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTMFWS1D5N08XT1G 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 日本
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 日本

出貨時，國家可能會有所變更。

PowerTrench技術

安森美 (onsemi) PowerTrench技術代表了PowerTrench技術的進步，特別是從T6到T10的转变標誌著電力電子技術的突破。PowerTrench MOSFET由安森美 (onsemi) 開發，可在各種應用中提供更高的效率与效能。從T6/T8到T10的轉換大幅改善了導通電阻和開關性能，這對於節能設計而言至關重要。

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

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