onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET
Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC（碳化矽）MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化，具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能，且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術，可在負閘極電壓驅動下可靠地工作，並能關閉閘極上的尖峰。
onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC採用D2PAK-7L封裝，以實現低共源極電感。
特點
- 針對快速切換應用進行了最佳化。
- 低開關耗損
- 485μJ典型導通開關損耗@40A、800V
- 18V可獲得最佳效能；15V可與IGBT驅動器電路兼容
- 100%經電子雪崩檢測
- 提高功率密度
- 提高了對意外輸入電壓尖峰或振鈴的穩健性
應用
- AC-DC轉換
- DC-AC轉換
- DC-DC轉換
- 開關模式電源 (SMPS)
- UPS
- 電動車充電器
- 太陽能逆變器
- 儲能系統
規格
- 漏電源電壓 (VDSS) 為1200V
- 漏源導通電阻 (RDS(on)) 為22mΩ
- 柵極源極電壓 (VGS) 為-10V/+22V
- 漏電源擊穿電壓溫度係數 (V(BR)DSS/TJ) 為0.3V/°C
- 零閘極電壓漏極電流 (IDSS) 為100µA
- 柵極源漏電流 (IGSS) 為±1µA
- 連續漏極電流 (ID)
- 58A@TC =25°C
- 41A@TC =100°C
- 功耗 (PD)
- 234W@TC=25°C
- 117W@TC=100°C
- 閘極閾值電壓為2.04V至4.4V；典型值 (VGS(TH)) 為2.72V
- 輸入電容 (CISS) 為3200pF
- 輸出電容 (COSS) 為148pF
- 反向傳輸電容 (CRSS) 為14pF
- 開啟延遲時間 (td(ON)) 為18ns
- 上升時間 (tr) 為24ns
- 關閉延遲時間 (td(OFF)) 為47ns
- 下降時間 (tf) 為14ns
- 反向恢復時間 (tRR) 為23ns
- 操作結溫和儲存溫度範圍 (TJ 、Tstg) 為-55°C至+175°C
- D2PAK7 (TO-263-7L HV) 封裝
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內部電路圖
封裝概述
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發佈日期: 2022-08-24
| 更新日期: 2024-06-19