M3S 1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S 1200V碳化矽 (SiC) MOSFET針對快速切換應用最佳化。裝置採用平面技術,能在負閘極電壓驅動器及閘極的關斷突增下可靠運作。安森美M3S 1200V MOSFET以18V閘極驅動執行驅動時可提供最佳效能,但也適用於15V閘極驅動。M3S提供低切換耗損,採用TO247-4LD封裝,可實現低共源電感。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱

onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L 1,634庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L 282庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC