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onsemi M3S 1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S 1200V碳化矽 (SiC) MOSFET針對快速切換應用最佳化。裝置採用平面技術，能在負閘極電壓驅動器及閘極的關斷突增下可靠運作。安森美M3S 1200V MOSFET以18V閘極驅動執行驅動時可提供最佳效能，但也適用於15V閘極驅動。M3S提供低切換耗損，採用TO247-4LD封裝，可實現低共源電感。

特點

  • 採用TO247-4LD封裝，可實現低共源電感
  • 適用15V至18V閘極驅動
  • 22mohm RDS(ON) ，加上低EON和EOFF耗損的M3S技術
  • 通過100%突崩測試
  • 降低EON耗損
  • 18V可實現最佳效能；15V可相容於IGBT驅動器電路
  • 改善功率密度
  • 改善對意外輸入電壓突增或振鈴的耐用性

應用

  • AC-DC轉換
  • DC-AC轉換
  • DC-DC轉換
  • 終端產品
    • UPS
    • 電動車充電器
    • 太陽能逆變器
    • 能源儲存系統

資源

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Evaluation Board

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內部電路圖

電路圖 - onsemi M3S 1200V SiC MOSFET
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零件編號 規格書 Vds - 漏-源擊穿電壓 Rds On - 漏-源電阻 Id - C連續漏極電流 封裝/外殼
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發佈日期: 2021-09-27 | 更新日期: 2025-01-20