onsemi 650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET
安森美 (onsemi) 650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET採用的技術與矽相比可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的晶片尺寸確保了低電容和閘極電荷。因此，系統優勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。由於採用了開爾文源配置和較低的寄生源電感，安森美 (onsemi) TOLL封裝具有更高的熱性能和出色的開關性能。TOLL具有1級濕度敏感度 (MSL 1)。
特點
- 最高結溫：175 °C
- 無引線薄型SMD封裝
- 開爾文源配置
- 超低閘極電荷
- 低效能輸出電容
- 本體二極管的反向恢復電流為零
- 低RDS(on)
- 額定電壓：650 V
- 100%經電子雪崩檢測
- 無鉛、不含鹵素／不含BRF，並符合RoHS規定
- 1級濕度敏感度保證
應用
- 電訊
- 雲端系統
- 工業
- 電訊電源
- 伺服器電源
- UPS/ESS
- 太陽能
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| 零件編號 | 規格書 | 說明 |
|---|---|---|
| NTH4L016N065M3S |  |
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S |
| NVH4L016N065M3S | |
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| NTBL060N065SC1 | |
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| NVH4L012N065M3S | |
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S |
發佈日期: 2024-05-10
| 更新日期: 2024-07-25