650V EliteSiC(碳化矽)MOSFET

安森美 (onsemi) 650V EliteSiC(碳化矽)MOSFET採用的技術與矽相比可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外,低導通電阻和緊湊的晶片尺寸確保了低電容和閘極電荷。因此,系統優勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。由於採用了開爾文源配置和較低的寄生源電感,安森美 (onsemi) TOLL封裝具有更高的熱性能和出色的開關性能。TOLL具有1級濕度敏感度 (MSL 1)。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL 446庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto 450庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL 1,983庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL 1,970庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
450預期6/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
450預期2/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC