650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET

安森美 (onsemi) 650V EliteSiC（碳化矽）MOSFET採用的技術與矽相比可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的晶片尺寸確保了低電容和閘極電荷。因此，系統優勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。由於採用了開爾文源配置和較低的寄生源電感，安森美 (onsemi) TOLL封裝具有更高的熱性能和出色的開關性能。TOLL具有1級濕度敏感度 (MSL 1)。