Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率電晶體
英飛凌700V CoolGan™ G4功率電晶體是增強型矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率電晶體,具有可實現高電流、高電壓擊穿和高切換頻率的特性。GaN Systems創新採用行業領先的先進技術,例如專利Island Technology®單元佈局,可實現高電流晶片和高良率。這些700V CoolGaN功率電晶體可實現超功率密度設計和電源開關的高系統效率。GS-065功率電晶體安裝在底部冷卻的PDFN封裝中。這些功率電晶體具有非常低的結點至外殼熱阻,非常適合要求嚴苛的高功率應用。一些應用包括資料中心和計算解決方案、電源適配器、LED照明驅動器、開關模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和發動機驅動器。特點
- 700V E模式功率電晶體
- 850V瞬態汲極至源極電壓
- 底部冷卻,8mm x 8mm PDFN封裝
- RDS(on)範圍從40mΩ至315mΩ
- 超低FOM
- 閘極驅動需求(0V至6V)
- 高開關頻率(>1MHz)
- 快速且可控的下降和上升時間
- 反向傳導能力
- 零反向恢復損耗
- 支援高工作頻率
- 實現最高的系統效率
- 支援超功率密度設計
- 支援節省BOM成本
應用
- 電源配接器
- LED照明驅動器
- 快速電池充電
- 功率因數校正
- 工業電源
- 光電
- 電訊基礎設施的AC-DC電源轉換
- 資料中心與運算解決方案
- 家電與工業發動機驅動器
- 無線電源傳輸
影片
發佈日期: 2024-05-07
| 更新日期: 2025-04-18
