Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率電晶體

英飛凌700V CoolGan™ G4功率電晶體是增強型矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率電晶體,具有可實現高電流、高電壓擊穿和高切換頻率的特性。GaN Systems創新採用行業領先的先進技術,例如專利Island Technology®單元佈局,可實現高電流晶片和高良率。這些700V CoolGaN功率電晶體可實現超功率密度設計和電源開關的高系統效率。GS-065功率電晶體安裝在底部冷卻的PDFN封裝中。這些功率電晶體具有非常低的結點至外殼熱阻,非常適合要求嚴苛的高功率應用。一些應用包括資料中心和計算解決方案、電源適配器、LED照明驅動器、開關模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和發動機驅動器。            

特點

  • 700V E模式功率電晶體
  • 850V瞬態汲極至源極電壓
  • 底部冷卻,8mm x 8mm PDFN封裝
  • RDS(on)範圍從40mΩ至315mΩ
  • 超低FOM
  • 閘極驅動需求(0V至6V)
  • 高開關頻率(>1MHz)
  • 快速且可控的下降和上升時間
  • 反向傳導能力
  • 零反向恢復損耗
  • 支援高工作頻率
  • 實現最高的系統效率
  • 支援超功率密度設計
  • 支援節省BOM成本

應用

  • 電源配接器
  • LED照明驅動器
  • 快速電池充電
  • 功率因數校正
  • 工業電源
  • 光電
  • 電訊基礎設施的AC-DC電源轉換
  • 資料中心與運算解決方案
  • 家電與工業發動機驅動器
  • 無線電源傳輸

影片

發佈日期: 2024-05-07 | 更新日期: 2025-04-18