700V CoolGaN™ G4功率電晶體

英飛凌700V CoolGan™ G4功率電晶體是增強型矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率電晶體,具有可實現高電流、高電壓擊穿和高切換頻率的特性。GaN Systems創新採用行業領先的先進技術,例如專利Island Technology®單元佈局,可實現高電流晶片和高良率。這些700V CoolGaN功率電晶體可實現超功率密度設計和電源開關的高系統效率。GS-065功率電晶體安裝在底部冷卻的PDFN封裝中。這些功率電晶體具有非常低的結點至外殼熱阻,非常適合要求嚴苛的高功率應用。一些應用包括資料中心和計算解決方案、電源適配器、LED照明驅動器、開關模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和發動機驅動器。            

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 通道模式
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 294庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 287庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 88庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 124庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
744預期26/2/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS
249預期8/6/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement