RF MOSFET晶體管

結果: 627
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 晶體管極性 技術 Id - C連續漏極電流 Vds - 漏-源擊穿電壓 Rds On - 漏-源電阻 操作頻率 增益 輸出功率 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
Toshiba RF MOSFET晶體管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50
: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50
: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 MV9 55W 12.5V TO270WB4 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 500
倍數: 500
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 MV9 800MHZ13.6V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 500
倍數: 500
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 VHV6 250W 50V NI780H 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50
: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 VHV6 1400MHZ 50V 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50
: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET晶體管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 150
倍數: 150
: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
MACOM RF MOSFET晶體管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 20
倍數: 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM RF MOSFET晶體管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 1
倍數: 1

Si
MACOM RF MOSFET晶體管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM RF MOSFET晶體管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 20
倍數: 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM RF MOSFET晶體管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 20
倍數: 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro RF MOSFET晶體管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET晶體管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET晶體管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET晶體管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon RF MOSFET晶體管 ART150PEG/REEL 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 500
倍數: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET晶體管 ART150PE/REELDP 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 500
倍數: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET晶體管 ART1K6FHG/SOT1248/REEL 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 100
倍數: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon RF MOSFET晶體管 ART1K6FHS/SOT539/TRAY 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 60
倍數: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray