RF MOSFET晶體管

結果: 627
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 晶體管極性 技術 Id - C連續漏極電流 Vds - 漏-源擊穿電壓 Rds On - 漏-源電阻 操作頻率 增益 輸出功率 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 400
倍數: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 600
倍數: 600
: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 100
倍數: 100
: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 120
倍數: 120
: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300
: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300
: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 160
倍數: 160
: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 100
倍數: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

Si Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 20 A 200 V 250 MHz 14.8 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 60
倍數: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 N-Ch 65 Volt 4 Amp 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 N-Ch 65 Volt 4 Amp 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 50
倍數: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 120
倍數: 120
: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300
: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 80
倍數: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology RF MOSFET晶體管 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET晶體管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 10
倍數: 1
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET晶體管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 10
倍數: 1
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Toshiba RF MOSFET晶體管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel