結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
規格書
764庫存量
300預期18/5/2026
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
規格書
597庫存量
700預期17/8/2026
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel Depletion Mode FET
規格書
1,098庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 2.5 W Depletion Clare Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
規格書
2,088預期25/3/2026
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube