碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能,優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比,碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷,可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關,可確保穩定的高溫性能。

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 150庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 67庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 323 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 90庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4 318庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 242庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 862庫存量
270預期27/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 55庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 17庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 45庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247 前置作業時間 9 週
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement