MSC080SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC080SMA120B4
MSC080SMA120B4

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
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規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$75.95 HK$75.95
HK$70.03 HK$2,100.90
HK$60.91 HK$7,309.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Microchip
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
80 mOhms
- 10 V, + 23 V
2.8 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
品牌: Microchip Technology
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
每件重量: 6 g
找到產品:
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能，優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比，碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷，可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關，可確保穩定的高溫性能。

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