Microchip Technology 1200V SiC MOSFET
Microchip Technology 1200V SiC MOSFET提供高效能的解決方案，體積更輕巧、更緊湊。這些裝置具有低內部閘極電阻 (ESR)，因此具有快速切換速度。MOSFET驅動簡單且易於並聯，具備優化的散熱能力與更低的切換損耗。
Microchip 1200V SiC MOSFET無需外部自由輪換二極體，並在快速可靠的體二極體中提供更優越的雪崩耐用性。
特點
- 低電容和低閘極電荷
- 由於內部閘極電阻 (ESR) 較低，因此具備快速切換速度
- 在高結溫下穩定運行，TJ(max) = 175°C
- 快速且可靠的主體二極體
- 優越的雪崩耐受性（100%通過UIS生產測試）
- 爬電距離（典型值>8mm）
應用
- 光伏 (PV) 變流器、轉換器及工業發動機驅動器
- 智慧電網傳輸和分佈
- 感應加熱與焊接
- 油電混合車 (HEV) 動力系統和電動車 (EV) 充電器
- 電源供應與分佈
典型應用
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| 零件編號 | 規格書 | Rds On - 漏-源電阻 | Id - C連續漏極電流 |
|---|---|---|---|
| MSC025SMB120B4N |  |
33 mOhms | 81 A |
| MSC040SMB120B4N | |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | |
60 mOhms | 49 A |
| MSC020SMB120B4N | |
24 mOhms | 97 A |
| MSC030SMB120B4N | |
40 mOhms | 69 A |
| MSC060SMB120B4N | |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | |
107 mOhms | 30 A |
| MSC031SMC120B4N | |
42 mOhms | 72 A |
發佈日期: 2025-09-19
| 更新日期: 2025-09-29