1200V SiC MOSFET

Microchip Technology 1200V SiC MOSFET提供高效能的解決方案，體積更輕巧、更緊湊。這些裝置具有低內部閘極電阻 (ESR)，因此具有快速切換速度。MOSFET驅動簡單且易於並聯，具備優化的散熱能力與更低的切換損耗。

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
115庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
105庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
120庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
107庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
73庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement