STMicroelectronics IGBT

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
STMicroelectronics IGBT 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
規格書
492庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 35 A 79 W - 55 C + 150 C STGWF30NC60S Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
規格書
317庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
規格書
74庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
規格書
209庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 300

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube