碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能,優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比,碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷,可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關,可確保穩定的高溫性能。

分離式半導體的類型

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結果: 33
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 45庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 23庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 10 A SiC SBD 325庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 50A SiC SBD 44庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 15 A TO-220 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 150
倍數: 150

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 20 A TO-220 無庫存前置作業時間 7 週
最少: 100
倍數: 100

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227 前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 10 A TO-268 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3