碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能,優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比,碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷,可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關,可確保穩定的高溫性能。

分離式半導體的類型

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結果: 33
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 150庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 158庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-247 45庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 67庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 30 A SiC SBD 835庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220 862庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 90庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4 318庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 242庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 862庫存量
270預期27/3/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD 132庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD 225庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 43庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247 230庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 20 A SiC SBD 無庫存前置作業時間 7 週
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 30A SiC SBD 164庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-268 45庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 50 A SiC SBD 145庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 52庫存量
120預期13/4/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 10庫存量
30預期6/4/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-268 65庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 55庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 17庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247 188庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3