DRAM

結果: 2,597
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI IS43LR16640C-6BL
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 255庫存量
最少: 1
倍數: 1

BGA-60
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 418庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI IS45S32800J-7TLA2
ISSI DRAM
202庫存量
最少: 1
倍數: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 7 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM SYNC. DRAM 256Mb 16M x16, Automotive
109庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 59庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM 54庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS 22庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
Infineon Technologies DRAM SPCM
338在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
136在途量
最少: 1
倍數: 1

LPDDR4 Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
4,526在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
ISSI IS43LQ32640A-062BLI
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 45庫存量
最少: 1
倍數: 1

BGA-200
Infineon Technologies S80KS2564GACHV040
Infineon Technologies DRAM SPCM
779在途量
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
338在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
2,500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
338在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM
2,500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
795在途量
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
313在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
227在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
4,264在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16, IT
1,154在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
4,997預期14/5/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
2,262在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C