Texas Instruments LMG3100R0x整合驅動器的GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x整合驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET及驅動器,具備高壓電平移位器及自舉動功能。兩個LGM3100裝置可組成一個半橋,無需外部電平移位器。GaN FET和驅動器元件具有內建的電源軌欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能和內部自舉式電源電壓箝位能力,可防止過度驅動 (>5.4V) 。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗及改良的使用者介面。LMG3100R017是高頻、高效率應用的理想解決方案,包括降壓-升壓轉換器、LLC轉換器、太陽能逆變器、電信、馬達驅動器、電動工具和D類音訊放大器。

特點

  • 整合式1.7mΩ (LMG3100R017) 或4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET/驅動器
  • 100V連續電壓、120V脈衝電壓額定值
  • 互連的高壓電平移位和自舉功能
  • 兩個LMG3100可構成半橋,無需外部電平移位器
  • 5V外部偏置電源
  • 支援3.3V和5V輸入邏輯電平
  • 高壓擺率開關,低振動
  • 閘極驅動器可達10MHz切換頻率
  • 內部啟動電源電壓箝位以防止GaN FET過度驅動
  • 供應軌欠壓鎖定保護
  • 低功耗
  • 封裝最佳化,方便PCB佈局
  • 頂部裸露的QFN封裝用於頂部散熱
  • 底部外露大焊墊,用於底部冷卻
  • 零反向恢復

應用

  • 降壓、升壓和降壓-升壓轉換器
  • LLC轉換器
  • 太陽能逆變器
  • 電信和伺服器電源
  • 馬達驅動器
  • 電動工具
  • D類音訊放大器

規格

  • 90V連續額定電壓
  • 額定100V脈衝電壓
  • 5V外部偏置電源
  • 3.3V至5V輸入邏輯電平
  • 6.5mm x 4mm x 0.89mm尺寸

簡化方塊圖

結構圖 - Texas Instruments LMG3100R0x整合驅動器的GaN FET
發佈日期: 2024-02-22 | 更新日期: 2025-08-08