LMG3100R017VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R017VBER
LMG3100R017VBER

製造商:

說明:
閘極驅動器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 3,354

庫存:
3,354
可立即送貨
在途量:
2,500
預期26/2/2026
工廠前置作業時間:
18
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$119.52 HK$119.52
HK$90.83 HK$908.30
HK$87.05 HK$2,176.25
HK$76.69 HK$7,669.00
HK$72.91 HK$18,227.50
HK$68.23 HK$34,115.00
HK$63.62 HK$63,620.00
完整捲(訂購多個2500)
HK$63.62 HK$159,050.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: 閘極驅動器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-15
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 175 C
LMG3100R017
Reel
Cut Tape
品牌: Texas Instruments
輸入電壓(最大值): 5.25 V
輸入電壓(最小值): 4.75 V
邏輯類型: TTL
濕度敏感: Yes
運作供電電流: 170 uA
輸出電壓: 12 V
產品類型: Gate Drivers
Rds On - 漏-源電阻: 1.7 mOhms
原廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x整合驅動器的GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x整合驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET及驅動器,具備高壓電平移位器及自舉動功能。兩個LGM3100裝置可組成一個半橋,無需外部電平移位器。GaN FET和驅動器元件具有內建的電源軌欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能和內部自舉式電源電壓箝位能力,可防止過度驅動 (>5.4V) 。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗及改良的使用者介面。LMG3100R017是高頻、高效率應用的理想解決方案,包括降壓-升壓轉換器、LLC轉換器、太陽能逆變器、電信、馬達驅動器、電動工具和D類音訊放大器。