onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC碳化矽MOSFET
安森美 (onsemi) NTHL022N120M3S EliteSiC碳化矽MOSFET是一款1200V、M3S平面元件，專為快速開關應用而最佳化。平面技術能可靠地使用負閘極電壓驅動並關閉閘極上的尖峰。當使用18V柵極驅動器（也適用於15V柵極驅動器）驅動時，NTHL022N120M3S的效能最佳。NTHL022N120M3S採用TO-247-3L封裝，非常適合工業、UPS/ESS、太陽能和電動車充電器應用。
特點
- 出色的FOM
- 超低閘極充電
- 低電容高速開關
- 15V至18V柵極驅動器
- N通道
- 強化模式
- M3S技術
- 通孔安裝，TO-247-3L封裝樣式
- 100%經電子雪崩檢測
- 無鹵素、符合RoHS規定
應用
- 工業
- UPS/ESS
- 太陽能
- EV充電器
規格
- 漏源擊穿電壓：12kV
- 68 A連續漏極電流
- 漏源電阻：30mΩ
- 柵極源電壓：-10V或+22V
- 柵極源閾值電壓：4.4V
- 閘極電荷：139nC
- 操作溫度範圍：-55 °C至+175 °C
- 352 W 功率消耗
- 下降時間：14ns
- 上升時間：50ns
- 正向跨導：34S
- 標準延遲時間
- 關閉：44ns
- 開啟：19ns
其他資源
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發佈日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2024-06-19