NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 142.7 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NTHL022N120M3S

製造商編號：

NTHL022N120M3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

規格書:

NTHL022N120M3S 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NTHL022N120M3S的資訊

庫存量: 252

庫存：: 252 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$142.70	HK$142.70
	HK$103.90	HK$1,039.00
	HK$101.35	HK$10,135.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	68 A
Rds On - 漏-源電阻:	30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.4 V
Qg - 閘極充電:	139 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	352 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
下降時間:	14 ns
互導 - 最小值:	34 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	50 ns
系列:	NTHL022N120M3S
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	44 ns
標準開啟延遲時間:	19 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTHL022N120M3S 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTHL022N120M3S EliteSiC碳化矽MOSFET

安森美 (onsemi) NTHL022N120M3S EliteSiC碳化矽MOSFET是一款1200V、M3S平面元件，專為快速開關應用而最佳化。平面技術能可靠地使用負閘極電壓驅動並關閉閘極上的尖峰。當使用18V柵極驅動器（也適用於15V柵極驅動器）驅動時，NTHL022N120M3S的效能最佳。NTHL022N120M3S採用TO-247-3L封裝，非常適合工業、UPS/ESS、太陽能和電動車充電器應用。

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.