onsemi NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化矽MOSFET
onsemi NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化矽MOSFET採用TO-247-4L封裝，以快速與堅固為其設計目的。安森美NTH4L075N065SC1裝置提供高10倍的介電崩潰場強度和高2倍的電子飽和速度。MOSFET亦提供高3倍的能帶隙和高3倍的導熱性。所有安森美SiC MOSFET產品皆包含符合AEC-Q101標準和具備PPAP功能的選項，專為汽車及工業應用所設計並通過認證。
特點
- 於VGS = 18V時，典型值RDS(on) = 57mΩ
- 於VGS = 15V時，典型值RDS(on) = 75mΩ
- 超低閘極電荷 (QG(tot) = 61 nC)
- 低輸出電容 (Coss = 107 pF)
- 通過100%突崩測試
- TJ = 175°C
- 本裝置不含鹵素、符合RoHS標準含豁免7a、無鉛2LI（二級互連）
應用
- SMPS（交換式電源供應器）
- 太陽能逆變器
- UPS（不斷電系統）
- 能源儲存
相關產品
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發佈日期: 2022-08-23
| 更新日期: 2024-06-19