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Winbond 低功耗HyperRAM®

Winbond低功耗HyperRAM®是具有高速SDRAM裝置的流動DRAM，內部配置為8個儲蓄位記憶體，並在指令/地址(CA)匯流排上使用雙倍數據傳輸率(DDR)架構。此HyperRAM具有腳位數少、功耗低、易於控制的特性，可改善終端裝置的效能。新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置要求在尺寸、功耗和性能方面有新的功能。這些HyperRAM記憶體裝置提供新的技術解決方案，可應對新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置的快速發展。這些HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下提供45mW功率，與SDRAM的待機模式有顯著不同。HyperRAM支援HyperBus介面，是應對汽車電子、工業4.0及智慧型家居應用快速發展的解決方案。

For IoT applications, various design considerations such as low cost, low power consumption, and computing efficiency must be met to gain widespread adoption in the market. From the overall system design and product life perspective, HYPERRAM™ has become an ideal choice for emerging IoT devices.

特點

  • HyperBus介面
  • 電源：
    • 1.7V~1.95V
    • 2.7V~3.6V
  • 最大時脈頻率：
    • 166MHz
    • 200MHz
  • 雙倍數據傳輸率(DDR)高達333MT/s或400MT/s
  • 時鐘：
    • 差分時脈(CK/CK#)
  • 晶片選擇（CS編號）
  • 8位元資料匯流排(DQ[7:0])
  • 讀寫資料選通(RWDS)：
    • 雙向資料選通/遮罩
    • 在所有交易開始時輸出，以指示刷新延遲
    • 在讀取交易過程中以讀取資料選通輸出
    • 在寫入交易過程中以寫入資料遮罩輸入
  • -40°C至85°C操作溫度範圍
  • 可配置的輸出驅動強度
  • 可配置的突發特徵
  • 環回突發長度：
    • 16位元（8時鐘）
    • 32位元（16時鐘）
    • 64位元（32時鐘）
    • 128位元（64時鐘）
  • 節能模式：
    • 混合睡眠模式
    • 深度功率下降

應用

  • 車載電子設備
  • 工業4.0
  • 智慧家居應用
  • 物聯網裝置
  • 人機介面裝置

方塊圖

結構圖 - Winbond 低功耗HyperRAM®
發佈日期: 2020-03-11 | 更新日期: 2025-01-06