W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

製造商:

說明:
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

壽命週期:
向工廠驗證狀態:
壽命週期資訊不明確。獲取報價以驗證製造商對該部件編號的供貨情形。
ECAD模型:
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庫存量: 1,950

庫存:
1,950 可立即送貨
工廠前置作業時間:
53 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過1950會受到最小訂單要求的限制。
此產品已報告長備貨期。
最少: 1   多個: 1   上限: 100
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$62.88 HK$62.88
完整捲(訂購多個2000)
HK$62.88 HK$125,760.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Winbond
產品類型: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
品牌: Winbond
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 2000
子類別: Memory & Data Storage
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國台灣
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。

低功耗HyperRAM®

Winbond低功耗HyperRAM®是具有高速SDRAM裝置的流動DRAM,內部配置為8個儲蓄位記憶體,並在指令/地址(CA)匯流排上使用雙倍數據傳輸率(DDR)架構。此HyperRAM具有腳位數少、功耗低、易於控制的特性,可改善終端裝置的效能。新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置要求在尺寸、功耗和性能方面有新的功能。這些HyperRAM記憶體裝置提供新的技術解決方案,可應對新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置的快速發展。這些HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下提供45mW功率,與SDRAM的待機模式有顯著不同。HyperRAM支援HyperBus介面,是應對汽車電子、工業4.0及智慧型家居應用快速發展的解決方案。