Texas Instruments 氮化鎵 (GaN)
Texas Instruments氮化鎵 (GaN) 解決方案提供了高效率、功率密度和可靠性等優點。Texas Instruments GaN產品組合包含控制器、驅動器和穩壓器，可透過端對端的電源轉換和5 MHz開關頻率降低功耗。
功率GaN實現了全新的功率開關，即高電子移動率電晶體 (HEMT)。HEMT是一種場效電晶體 (FET)，與同等尺寸的矽功率電晶體相比，導通電阻更低且開關速度更快。這項優勢使功率轉換更為節能且省空間。GaN模組在矽基板上成長，使其具備矽製造能力。功率HEMT擁有的這些優勢可廣泛用於無線基地台，可靠性通過驗證。
裝置擁有更高的功率密度、最大化的dV/dt抗擾性，和經過最佳化的驅動強度，可降低雜訊並提高效率。高電壓、高效率的PFC和LLC參考設計，適用於設計解決方案，並由LMG3410 600V GaN功率級供電。透過使用LMG5200 80V GaN功率級，可實現多種單級48V功率轉換設計。
GaN生態系統支援獨特的全新拓撲結構，還能減少障礙。類比和數位式的GaN FET控制器能流暢無縫地與TI GaN功率級和獨立式GaN FET配對使用。
特點
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容易使用，單一QFN封裝即可取代三個CSP
- 最佳化的佈局，可將電感降至最低，在乾淨的波形下盡可能達到最低的開關損耗
- 更高的功率密度
- 最大化dV/dt抗擾性
- 將GaN FET、驅動器和保護功能整合到同一封裝中
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驅動強度經過最佳化
- 我們的高電壓、高效率PFC和LLC參考設計可用於進行設計，適用於由LMG3410 600V GaN功率級供電的電信與伺服器PSU
- 透過使用LMG5200 80V GaN功率級，可實現多種單級48V功率轉換設計
- 開關損耗降低3倍
- 可達到>5 MHz開關頻率
精選產品
Texas Instruments LMG1020 Low-Side GaN Driver
Low-side driver designed for driving GaN FETs & logic-level MOSFETs in high-speed applications.
Texas Instruments LMG5200 80V GaN半橋功率級
採用增強模式氮化鎵(GaN) FET提供整合式功率級解決方案。
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級
較矽MOSFETs具有更大優勢，包括超低輸入和輸出電容。
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Operates as a daughter card as part of a larger custom designed system or with the LMG34XX-BB-EVM.
影片
矽和GAN比較圖
