Texas Instruments LMG5200 80V GaN半橋功率級
Texas Instruments LMG5200 80V GaN半橋功率級採用增強模式氮化鎵(GaN) FET提供整合式功率級解決方案。該裝置包含兩個80V GaN FET，由半橋組態中的一個高頻率GaN FET驅動器驅動。憑藉接近於零的反向恢復和極小的輸入電容CISS，GaN FET為功率轉換提供顯著優勢。所有裝置均安裝於完全無焊線的封裝平台上，具有最少的封裝寄生元件。無論VCC電壓數值如何，TTL邏輯相容輸入可承受高達12V的電壓。專有自舉電壓箝位技術確保增強模式GaN FET的閘極電壓處於安全運作範圍內。
特點
- 整合式15 mΩ GaN FET和驅動器
- 80V連續，100V脈衝電壓額定值
- 封裝專為簡化PCB佈局所設計，可省去底部填充、爬電和間隙等需求
- 耗電量低
- 極低的共源電感，可確保高旋轉率切換，避免硬切換拓撲造成過多振鈴
- 適用於隔離式和非隔離式應用
- 可執行最高10 MHz切換的閘極驅動器
- 內建自舉供應電壓箝位，可避免GaN FET過載
- 供電軌欠壓鎖定保護
- 具備出色的傳播延遲（典型值29.5 ns）和匹配（典型值2 ns）
應用
- 寬VIN數兆赫茲同步降壓轉換器
- 高功率密度單相和三相馬達驅動器
- Class D音訊放大器
- 適合電信、工業和企業級運算的48V負載點 (POL) 轉換器
方框圖
評估模組
Texas Instruments BOOSTXL-3PHGANINV Evaluation Module
Designed for the evaluation of the LMG5200, a GaN half bridge power stage.
Texas Instruments LMG5200EVM-02 GaN Power Stage Evaluation Module
Evaluates the performance of LMG5200 power stage in many different DC-DC converter topologies.
發佈日期: 2017-04-19
| 更新日期: 2023-06-07