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Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET 是一款 650V、15mΩ 氮化鎵 (GaN) 常態關斷 FET，採用第五代 (Gen V) SuperGaN 平台。該平台採用先進的外延 (epi) 技術和專利設計技術。Renesas TP65H015G5WS 的特性不僅簡化製造流程，同時透過降低閘極電荷、輸出電容、交越損耗和反向恢復電荷，提高了矽的效率。

特點

  • 聯合電子裝置工程協會認證的氮化鎵技術
  • 動態 RDS(on)eff 生產測試通過
  • 內在壽命測試、寬閘極安全裕度和瞬態過電壓能力定義了其強固的設計
  • 極低 QRR
  • 降低了交叉損耗
  • 易於使用常用閘極驅動器驅動
  • 支援無橋 AC-DC 圖騰柱功率因素校正設計，增加功率密度，減少系統尺寸和重量，並降低整體系統成本。
  • 在硬開關和軟開關電路中均可實現更高的效率
  • GSD 腳位;接腳佈局優化高速設計
  • 無鹵素，符合RoHS規定

應用

  • 資料通信
  • 廣泛工業應用
  • 光電變流器
  • 伺服發動機

規格

  • 汲極至源極電壓：650V
  • 725V瞬態汲極至源極電壓
  • 閘極至源極電壓：±20V
  • 連續漏極電流
    • +25°C時95A
    • +100°C時60A
    • 600A脈衝漏極電流
  • 276W最大功率耗散
  • -55°C至+150°C操作和儲存溫度範圍
  • +260°C焊接峰值溫度
  • 熱阻
    • 0.45°C/W結至外殼
    • 40°C/W 結點至環境溫度

其他資源

典型應用

應用電路圖 - Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET

簡化半橋電路圖

電路圖 - Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET
發佈日期: 2025-09-15 | 更新日期: 2026-02-05