TP65H015G5WS

Renesas Electronics
227-TP65H015G5WS
TP65H015G5WS

製造商:

說明:
氮化鎵場效應管 GAN FET 650V 95A TO2 47

ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$181.42 HK$181.42
HK$176.57 HK$1,765.70
HK$165.80 HK$16,580.00
HK$105.38 HK$52,690.00
HK$105.30 HK$94,770.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Renesas Electronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
18 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
276 W
Enhancement
品牌: Renesas Electronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 10 ns
封裝: Tube
產品類型: GaN FETs
上升時間: 20 ns
原廠包裝數量: 900
子類別: Transistors
技術: GaN
標準斷開延遲時間: 132 ns
標準開啟延遲時間: 78 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET 是一款 650V、15mΩ 氮化鎵 (GaN) 常態關斷 FET,採用第五代 (Gen V) SuperGaN 平台。該平台採用先進的外延 (epi) 技術和專利設計技術。Renesas TP65H015G5WS 的特性不僅簡化製造流程,同時透過降低閘極電荷、輸出電容、交越損耗和反向恢復電荷,提高了矽的效率。