Infineon Technologies OptiMOS™ 5功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5功率MOSFET是為滿足提升的系統效率的要求，同時降低系統成本而設計。與其他裝置相比，這些裝置具有較低的R_DS(on)和品質因數 (R_DS(on) x Q_g)。它們採用矽技術設計，經過優化以滿足並超出能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算行業的伺服器、數據通信和客戶端應用。它們還可用於開關模式電源 (SMPS) 和電發動機控制、太陽能微型逆變器和快速開關直流/直流轉換器應用中的同步整流。

資源

25V和30V功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5 25V和30V功率MOSFET提供基準解決方案，可在待機和全運行模式中實現最高功率密度和能源效率。這些MOSFET基於矽技術，經過優化以滿足並超出能源效率和功率密度要求。

它們都是基於DC/DC (直流/直流) 應用中嚴格的下一代電壓調節標準。OptiMOS™ 5產品適用於計算行業廣泛的電壓調節應用。這包括伺服器、數據通信和客戶端應用，同時專注於Intel的VR和IMVP平台。

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特點

同類最佳導通電阻
基準開關性能（最低品質因數R_on x Q_g和R_on x Q_gd）
符合RoHS規定且無鹵
優化的EMI行為（整合阻尼網絡）
最高效率
具有S3O8或功率區塊封裝的最高功率密度
整體系統成本的降低
以高開關頻率運作

應用

桌上型電腦和伺服器
單相和多相PoL
筆記型電腦中的CPU/GPU電壓調節
高功率密度電壓穩壓器
Or-ing
電子保險絲

系統效率

40V和60V功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5 80V和100V功率MOSFET專門為電訊和伺服器電源中的同步整流而設計。這些裝置還可用於其他工業應用，如太陽能、低電壓驅動器和轉插頭。

OptiMOS™ 5 80V和100V MOSFET有七種不同的封裝，提供低R_DS(on) 。這一行業領先的FOM的最重要一個貢獻者是在Super SO-8封裝中具有低至2.7mΩ的導通電阻，提供最高的功率密度和效率。

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特點

針對同步整流進行優化
非常適用於高開關頻率
輸出電容改善高達44%
與上一代相比，R_DS(on) 降低高達43%
最高系統效率
降低開關和傳導損耗
更少的並行需要
功率密度高
5V低壓過沖

應用

電訊
伺服器
太陽能
低電壓驅動器
輕型電動車
適配器

RDS(on)對比

80V和100V功率MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5 150V功率MOSFET適用於低電壓驅動器，例如鏟車、電動滑板車、電訊和太陽能應用。150V MOSFET可減少高達25%的R_DS(on) 和Q_rr ，而不影響FOMgd。這可減少設計工作並優化系統效率。超低反向恢復電荷（SuperSO8 = 26nC中的最低Q_rr ）提高了換向耐用度。

OptiMOS 5 150V技術可實現更小的同類最佳SuperSO8 (PQFN 5x6) 封裝裝置，以取代TO-220替代品。該開關憑藉更低的封裝電感，提供更高的功率密度和更低的電壓過沖 (VDS)。