IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET具有低漏源導通電阻、低閘極電荷及低閘極電容，將傳導和開關損耗降至最低。這些N通道增強模式的MOSFET還具有極低的22.7nC至23.0nC反向恢復電荷。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
規格書
18,278庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
規格書
2,827庫存量
5,000預期16/7/2026
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel