Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體
英飛凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體採用高效率GaN（氮化鎵）電晶體技術，可用於電壓高達650V的功率轉換。英飛凌GaN技術運用端對端的大批量生產，使E模式概念臻至成熟。此開創性的品質可確保最高標準，並提供最可靠的效能。強化模式的CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體可透過超快速切換改善系統效率和功率密度。
特點
- 強化模式電晶體，常關式開關
- 超快速切換
- 無反向恢復電荷
- 提供反向傳導能力
- 低閘極電荷，低輸出電荷
- 優異換相耐用性
- 改善系統效率
- 改善功率密度
- 可提供高作業頻率
- 降低系統成本以節省成本
- 降低EMI
- 封裝選項
- PG‑DSO‑20
- PG‑HDSOP‑16
- PG‑TSON‑8
- 符合ESD (HBM/CDM) JEDEC標準
- 無鉛、不含鹵素，並符合RoHS標準
應用
- 工業
- 充電器和變壓器搭載半橋拓撲（半橋拓撲技術適用於硬體和軟體切換，例如圖騰柱PFC、高頻率LLC）
- 電信
- 資料中心SMPS
規格
- 閘極-源極閾值電壓：1.6V
- 閘極-源極電壓：-10V
- 汲極-源極崩潰電壓：650V
- 閘極電荷範圍：1.4 nC至16 nC
- 汲極-源極電阻範圍：30 mΩ至330 mΩ RDS on
- 連續汲極電流範圍：7.2A至67A
- 功率消耗範圍：28W至219W
- 作業溫度範圍：-55°C至+150°C
影片
發佈日期: 2024-11-05
| 更新日期: 2025-09-30