氮化鎵場效應管 – Mouser 香港

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CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體

英飛凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體採用高效率GaN（氮化鎵）電晶體技術，可用於電壓高達650V的功率轉換。英飛凌GaN技術運用端對端的大批量生產，使E模式概念臻至成熟。此開創性的品質可確保最高標準，並提供最可靠的效能。強化模式的CoolGaN™ Gen 2 650V功率電晶體可透過超快速切換改善系統效率和功率密度。

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結果: 12

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Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

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零件編號

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: HK$106.94
3,920庫存量
1,800預期16/7/2026
新產品

製造商元件編號
IGLT65R025D2AUMA1

Mouser 元件編號
726-IGLT65R025D2AUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

3,920庫存量

1,800預期16/7/2026

帶狀裁切

HK$106.94

HK$78.50

HK$65.43

HK$58.36

檢視

捲

HK$49.40

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: HK$32.06
4,511庫存量
新產品

製造商元件編號
IGLR65R140D2XUMA1

Mouser 元件編號
726-IGLR65R140D2XUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

4,511庫存量

帶狀裁切

HK$32.06

HK$21.04

HK$14.71

HK$12.08

HK$11.59

捲

HK$9.78

最少： 1
倍數： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: HK$23.34
4,825庫存量
新產品

製造商元件編號
IGLR65R200D2XUMA1

Mouser 元件編號
726-IGLR65R200D2XUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

4,825庫存量

帶狀裁切

HK$23.34

HK$14.22

HK$10.11

HK$8.47

捲

HK$6.61

檢視

最少： 1
倍數： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: HK$20.55
4,826庫存量
新產品

製造商元件編號
IGLR65R270D2XUMA1

Mouser 元件編號
726-IGLR65R270D2XUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

4,826庫存量

帶狀裁切

HK$20.55

HK$12.58

HK$8.88

HK$7.20

捲

HK$5.60

檢視

最少： 1
倍數： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: HK$70.45
1,300庫存量
新產品

製造商元件編號
IGLT65R045D2ATMA1

Mouser 元件編號
726-IGLT65R045D2ATMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

1,300庫存量

帶狀裁切

HK$70.45

HK$47.27

HK$35.18

HK$34.61

HK$28.28

捲

HK$28.19

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: HK$38.80
1,535庫存量
新產品

製造商元件編號
IGLT65R110D2ATMA1

Mouser 元件編號
726-IGLT65R110D2ATMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

1,535庫存量

帶狀裁切

HK$38.80

HK$24.50

HK$18.17

HK$15.62

捲

HK$12.66

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: HK$110.31
916庫存量
新產品

製造商元件編號
IGOT65R025D2AUMA1

Mouser 元件編號
726-IGOT65R025D2AUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

916庫存量

帶狀裁切

HK$110.31

HK$81.62

HK$68.06

HK$59.02

捲

HK$49.48

最少： 1
倍數： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: HK$86.47
482庫存量
新產品

製造商元件編號
IGOT65R035D2AUMA1

Mouser 元件編號
726-IGOT65R035D2AUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

482庫存量

帶狀裁切

HK$86.47

HK$58.44

HK$48.00

HK$39.37

捲

HK$39.29

最少： 1
倍數： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: HK$76.53
1,378庫存量
新產品

製造商元件編號
IGOT65R045D2AUMA1

Mouser 元件編號
726-IGOT65R045D2AUMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

1,378庫存量

帶狀裁切

HK$76.53

HK$50.88

HK$37.15

HK$35.18

捲

HK$32.39

HK$29.35

最少： 1
倍數： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: HK$60.58
623庫存量
新產品

製造商元件編號
IGOT65R055D2AUMA1

Mouser 元件編號
726-IGOT65R055D2AUMA

新產品

Infineon Technologies

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規格書

623庫存量

帶狀裁切

HK$60.58

HK$40.28

HK$29.76

HK$23.92

捲

HK$23.10

最少： 1
倍數： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: HK$58.86
47庫存量
3,600預期16/12/2026
新產品

製造商元件編號
IGLT65R055D2ATMA1

Mouser 元件編號
726-IGLT65R055D2ATMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

47庫存量

3,600預期16/12/2026

帶狀裁切

HK$58.86

HK$39.62

HK$30.74

HK$28.03

HK$23.76

捲

HK$23.76

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: HK$87.95
3,538預期16/7/2026
新產品

製造商元件編號
IGLT65R035D2ATMA1

Mouser 元件編號
726-IGLT65R035D2ATMA

新產品

Infineon Technologies

氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

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規格書

3,538預期16/7/2026

帶狀裁切

HK$87.95

HK$59.35

HK$46.36

HK$37.89

捲

HK$37.81

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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