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使用Murata DC-DC轉換器為Infineon IGBT閘極驅動器供電IGBT常用於高功率變頻器與轉換器電路，而且需要相當大的隔離閘極驅動功率，才能進行最佳的切換。小型隔離DC/DC轉換器可提供所需功率。相同的考量適用於矽、碳化矽及氮化鎵MOSFET所使用的閘極驅動器。
IGBT適用於以數百奈法拉(nanofarad)測量的有效閘極電容高功率應用。上述電容必須充電並放電以開啟和關閉IGBT。如此一來，循環電流會導致閘極驅動器電路與IGBT中的電壓降低，而產生顯著的功率消耗。DC/DC轉換器為需要特定效能特性的IGBT，提供閘極驅動功率。轉換器也必須提供優於替代技術的顯著優勢，包括在所有啟動、瞬態及連續運作情況下，獲得最佳的IGBT效率和安全。 |
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應用
- 不斷電系統(UPS)
- 油電混合車/電動車
- 馬達/運動控制
- 電網-1 (變電所)
- 電網-2 (太陽能)
- 電網-3 (風力發電)
- 紡織機與輥軋機
- 電弧焊與銲管機
- 鑽床與銑床
- 工業鍋爐與乾燥機
- 機器人
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精選產品
IKW50N65H5高速5 IGBT
Infineon IKW50N65H5高速5 IGBT採用TRENCHSTOP™ 5技術，並結合RAPID 1快速及軟反平行二極體。IKW50N65H5 具備高速H5技術，可在硬切換與諧振拓撲中，提供同級產品中最佳的效率。支援以隨插即用的方式取代前代IGBT。
IGBT具備650V崩潰電壓、低閘極電荷QG、最高175°C接點溫度，並符合JEDEC標準。典型應用包括太陽能轉換器、不斷電電源供應器、焊接轉換器，以及中至高範圍切換頻率轉換器。
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精選產品
IKW50N65F5高速5 IGBT
Infineon IKW50N65F5高速5 IGBT採用TRENCHSTOP™ 5技術，並結合RAPID 1快速及軟反平行二極體。IKW50N65F5具備高速H5技術，可在硬切換與諧振拓撲中，提供同級產品中最佳的效率。
IGBT具備650V崩潰電壓、低閘極電荷QG、最高175°C接點溫度，並符合JEDEC標準。典型應用包括太陽能轉換器、不斷電電源供應器、焊接轉換器，以及中至高範圍切換頻率轉換器。
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精選產品
IRGB20B60PD1PBF 600V Warp2 IGBT
Infineon IRGB20B60PD1PBF 600V Warp2 IGBT具備超快速軟恢復二極體。IGBT可為較高電流的應用提供平行運作，並具備較低的傳導耗損與切換耗損。IRGB20B60PD1PBF適用於電信及伺服器SMPS、PFC與ZVS SMPS電路。
IGBT具備最高可達150kHz的較高切換頻率，以及NPT技術、正溫度係數、較低的VCE (SAT)與寄生電容。此裝置具有最低的尾電流，以及HEXFRED超快速軟恢復共同封裝二極體，提供更緊密的參數散佈及更高的可靠性。
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精選產品
IRG4PC50UPbF絕緣閘雙極電晶體
Infineon IRG4PC50UPbF絕緣閘雙極電晶體絕緣閘雙極電晶體極為快速，並針對硬切換的8-40kHz，以及諧振模式中大於200kHz的高運作頻率最佳化。此款第4代IGBT採用的設計，提供比第3代更緊密的參數散佈及更高的效率。
此款IGBT採用業界標準TO-247AC封裝，可提供最高效率。IRG4PC50UPbF已針對特定應用條件最佳化，其設計可簡易替換同樣為業界標準的第3代IR IGBT。
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Featured Product
IRG4PC40UDPbF絕緣閘雙極電晶體
Infineon IRG4PC40UDPbF絕緣閘雙極電晶體極為快速，並針對硬切換的8-40kHz，以及諧振模式中大於200kHz的高運作頻率最佳化。此款第4代IGBT採用的設計，提供比第3代更緊密的參數散佈及更高的效率。
此款IGBT採用業界標準TO-247AC封裝，可提供最高效率。IRG4PC40UDPbF 已針對特定應用條件最佳化，其設計可簡易替換同樣為業界標準的第3代IR IGBT。
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發佈日期: 2019-09-10
| 更新日期: 2024-01-26
白皮書 - Powering IGBT Gate Drives with DC-DC converters
MGJ3 and MGJ6 Power Supplies
香港