Infineon Technologies CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET
英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率，這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站，可比前一代產品減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。
特點
- 靈活的驅動電壓，並與雙極驅動方案相容
- 基準閘極臨界電壓VGS(th) = 4.5V
- 即使關斷閘極電壓為0V，仍可穩健地防止寄生導通
- 靈活的驅動電壓，與雙極驅動方案相容
- 超低開關損耗
- 堅固的體二極體可在硬換向事件下工作
- .XT互連技術提供優異的散熱性能
應用
- SMPS
- 太陽能PV逆變器
- 能量儲存與電池組成
- UPS
- 電動車充電基礎設施
- 馬達驅動器
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