Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET
英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (VG(th))，確保了精確的控制。
CoolSiC™ MOSFET離散元件1200V G2 MOSFET提供兩種 TO-247 4腳位封裝版本。使用者可以依據需求在標準TO-247 4腳位封裝與TO-247 4腳位HC封裝之間選擇。TO-247 4腳位封裝增加了關鍵引綫間的爬電距離，能讓波峰焊更平順、電路板產出損耗更小。標準化腳位相容於市場上絕大多數產品。
特點
- VDSS = 1200V (Tvj = +25°C)
- 極低的切換損耗
- 最大VGS範圍寬：-10V至25V
- 過載運行溫度可達Tvj = +200°C
- 短路可承受時間為2µs
- 可以採用0V關斷閘極電壓
- 耐用的體二極體用於硬換向
- .XT互連技術，提供同級最佳的散熱效能
應用
- EV充電
- 工業驅動器/一般用途驅動器 (GDP)
- 光電/太陽能/串列式逆變器
- 不斷電系統 (UPS)
- 固態電路斷路器 (SCB)
- 資料中心與人工智慧
- CAV
影片
圖表
方塊圖 - 從30kW至150kW的充電機
方塊圖－三相串列式逆變器
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| 更新日期: 2026-01-15