BIMOSFET MOSFET

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 16A N-CH
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 16 A - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 25
倍數： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 25
倍數： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube