IXYS IXGH40N120 系列 IGBT

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝

IXYS IGBT SGL IGBT 1200V, 80A 79庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 75 A 360 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBT 75Amps 1200V 338庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBT IGBT, Diode 1200V, 75A 57庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBT 75Amps 1200V 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube