GCMS 系列 MOSFET模組

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝
SemiQ MOSFET模組 Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 30
倍數： 30

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET模組 Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET模組 Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET模組 Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET模組 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET模組 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

GCMS Tube