ALD212908A 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
規格書
暫無庫存
最少： 50
倍數： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube