SiC蕭特基障壁二極體

ROHM Semiconductor^® SiC（碳化矽）蕭特基障壁二極體具有很小的總電容式電荷 (Qc)，可減少開關損耗，實現高速開關運作。此外，與trr隨溫度增加的矽基快速恢復二極體不同，SiC裝置維持恆定特性，可提供更高效能。這使得它們適用於各種應用的關鍵裝置，包括用於EV和太陽能電力調節器的變頻器和充電器。