結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式

IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
規格書
4,196庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
規格書
1,927庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement

IXYS 碳化矽MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
規格書
548庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Littelfuse 碳化矽MOSFET SiC MOSFET phase leg in SMPD-B
規格書
20預期27/4/2027
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 19.5 A 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C
Littelfuse 碳化矽MOSFET SiC MOSFET phase leg in SMPD-B
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 200
捲: 200

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 100 uA 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C