1700V Dual IGBT Modules

Infineon Technologies 1700V Dual IGBT Modules are qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749, and 60068. The modules have electrical features like VCES = 1700V, IC nom up to 1500A/ICRM = 3000A. The devices also feature an integrated temperature sensor, high current density, and low VCE.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 200 A dual IGBT module
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 2.3 V 310 A 100 nA 1.25 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 225 A dual IGBT module
規格書
7庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 225 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 900 A dual IGBT module
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 750 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 10
倍數： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1500 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 2
倍數： 2

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray